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2N7000/2N7002, VQ1000J/P, BS170
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS (T A = 25 _ C UNLESS OTHERWISE NOTED)
1.000
Source-Drain Diode Forward Voltage
6
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
0.100
0.010
0.001
T J = 125 _ C
T J = 25 _ C
5
4
3
2
1
0
I D = 50 mA
500 mA
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
V SD – Source-to-Drain Voltage (V)
0.50
0.25
– 0.00
– 0.25
– 0.50
– 0.75
Threshold Voltage
I D = 250 m A
V GS – Gate-to-Source Voltage (V)
– 50
– 25
0
25
50
75
100
125
150
Normalized Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Ambient (TO-226AA, BS170 Only)
1
Duty Cycle = 0.5
0.2
0.1
Notes:
0.1
0.05
P DM
0.02
t 1
t 1
0.01
t 2
1. Duty Cycle, D =
t 2
2. Per Unit Base = R thJA = 156 _ C/W
3. T JM – T A = P DM Z thJA(t)
Single Pulse
0.01
0.1
1
10
100
1K
10 K
t 1 – Square Wave Pulse Duration (sec)
Document Number: 70226
S-04279 — Rev. F, 16-Jul-01
www.vishay.com
11-5
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